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DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7 Diodes Zetex

635dmn3026lvt.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMN3026LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 Diodes Zetex 635dmn3026lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated DMN3026LVT.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF
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DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 DIODES INC. DIODS21604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2110 Stücke:
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DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 DIODES INC. DIODS21604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated DMN3026LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
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37+0.58 EUR
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DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 Diodes Zetex 635dmn3026lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN3026LVT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-23-6
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Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
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37+0.58 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 261 Stücke:
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