DMN3053L-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
| 15000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details DMN3053L-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote DMN3053L-7 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMN3053L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF |
auf Bestellung 3653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3053L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3053L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3053L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 20210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3053L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 410 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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DMN3053L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 410 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN3053L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
auf Bestellung 3653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.19 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| DMN3053L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1 EUR |
| 353+ | 0.65 EUR |
| 592+ | 0.36 EUR |
| 658+ | 0.32 EUR |
| DMN3053L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
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Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN3053L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 250+ | 1 EUR |
| 353+ | 0.65 EUR |
| 592+ | 0.36 EUR |
| 658+ | 0.32 EUR |
| DMN3053L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 676 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.05 EUR |
| 33+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| DMN3053L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN3053L-7 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)