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DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated

DMN3055LFDB.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
auf Bestellung 1782000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.23 EUR
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Technische Details DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated DMN3055LFDB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
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DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated diodes inc_diod-s-a0004140802-1.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
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DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 DIODES INC. 3199752.pdf Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB-7 DIODES INC. 3199752.pdf Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
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euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DMN3055LFDB-7 DMN3055LFDB.pdf
DMN3055LFDB-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
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DMN3055LFDB-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DMN3055LFDB-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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