DMN3055LFDB-7 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 201+ | 1.25 EUR |
| 324+ | 0.71 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| 663+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 5000+ | 0.24 EUR |
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Technische Details DMN3055LFDB-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMN3055LFDB-7 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMN3055LFDB-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3055LFDB-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
auf Bestellung 1146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN3055LFDB-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
auf Bestellung 1695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN3055LFDB-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 201+ | 1.25 EUR |
| 324+ | 0.71 EUR |
| 503+ | 0.43 EUR |
| 663+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 5000+ | 0.24 EUR |
| DMN3055LFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 1146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.32 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 3000+ | 0.3 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
| DMN3055LFDB-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Description: MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 1.34 EUR |
| 26+ | 0.83 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |