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DMN3055LFDBQ-7 DIODES INC.


DIOD-S-A0013316663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+2.14 EUR
210+1.11 EUR
305+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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Technische Details DMN3055LFDBQ-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote DMN3055LFDBQ-7 nach Preis ab 0.23 EUR bis 2.14 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3055LFDBQ-7 DMN3055LFDBQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013316663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
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auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
210+1.11 EUR
305+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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DMN3055LFDBQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3055LFDBQ.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: DMN3055LFDBQ-7
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3055LFDBQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 5 A, 5 A, 0.04 ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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117+2.14 EUR
210+1.11 EUR
305+0.7 EUR
500+0.56 EUR
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Category: Transistors - Unclassified
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