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DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated

DMN30H4D0LFDE.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.28 EUR
6000+0.26 EUR
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Technische Details DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.98W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote DMN30H4D0LFDE-7 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 183555 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.23 EUR
24+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7 Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7 DIODES INC. DMN30H4D0LFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE-7 DIODES INC. DMN30H4D0LFDE.pdf Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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DMN30H4D0LFDE-7
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Description: MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 187.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
FET Type: N-Channel
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Description: DIODES INC. - DMN30H4D0LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 550 mA, 4 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.98W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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