Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN3135LVT-7
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated

DMN3135LVT.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.26 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
15000+0.22 EUR
21000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 840mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26.

Weitere Produktangebote DMN3135LVT-7 nach Preis ab 0.25 EUR bis 0.90 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3135LVT-3002904.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
auf Bestellung 28506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.87 EUR
10+0.50 EUR
100+0.40 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN3135LVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
auf Bestellung 26422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.90 EUR
29+0.62 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-7 Hersteller : Diodes Inc dmn3135lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3135LVT-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN3135LVT.pdf DMN3135LVT-7 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN3135LVT-7 DMN3135LVT-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn3135lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH