DMN3150LW-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V
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Technische Details DMN3150LW-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 28, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 940, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote DMN3150LW-7 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN3150LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 5 V |
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DMN3150LW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 0.35W 28V 1.6A |
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DMN3150LW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 28 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 940 euEccn: NLR Verlustleistung: 350 Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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DMN3150LW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3150LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3150LW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 28V 1.6A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMN3150LW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 138mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Case: SOT323 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6.4A Drain-source voltage: 28V Drain current: 1.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN3150LW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 138mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Case: SOT323 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6.4A Drain-source voltage: 28V Drain current: 1.2A |
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