DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.16 EUR |
| 75000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm, Verlustleistung Pd: 320mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung, p-Kanal: 320mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 320mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote DMN3190LDW-7 nach Preis ab 0.083 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMN3190LDW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.32W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: SOT363 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9.6A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN3190LDW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.32W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: SOT363 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9.6A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A |
auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3190LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 159970 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DMN3190LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
auf Bestellung 272575 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMN3190LDW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm Verlustleistung Pd: 320mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung, p-Kanal: 320mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 320mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.122ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 11935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN3190LDW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |