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DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMN3190LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 320mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 320mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Diodes Zetex dmn3190ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated DMN3190LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 2496000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
150000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 DIODES INC. 2814406.pdf Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5734 Stücke:
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926+0.27 EUR
1076+0.21 EUR
1283+0.17 EUR
1450+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 DIODES INC. 2814406.pdf Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0009645290_1-2543183.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
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15+0.23 EUR
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3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
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DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated DMN3190LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
auf Bestellung 2499475 Stücke:
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29+0.74 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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DMN3190LDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
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auf Bestellung 2490000 Stücke:
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DMN3190LDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN3190LDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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21000+0.12 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
150000+0.1 EUR
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DMN3190LDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5734 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
926+0.27 EUR
1076+0.21 EUR
1283+0.17 EUR
1450+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
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DMN3190LDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3190LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 0.122 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.122ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 320mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.122ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 5734 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
926+0.27 EUR
1076+0.21 EUR
1283+0.17 EUR
1450+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
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DMN3190LDW-7 DIOD_S_A0009645290_1-2543183.pdf
DMN3190LDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
auf Bestellung 234732 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
9+0.39 EUR
15+0.23 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 320mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
auf Bestellung 2499475 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
46+0.46 EUR
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500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
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