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DMN31D5L-7

DMN31D5L-7 Diodes Incorporated

DMN31D5L.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
auf Bestellung 5316000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.094 EUR
30000+0.093 EUR
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Technische Details DMN31D5L-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN31D5L-7 DMN31D5L-7 DIODES INC. DMN31D5L.pdf Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
363+0.69 EUR
607+0.38 EUR
953+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
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DMN31D5L-7 DMN31D5L-7 DIODES INC. DMN31D5L.pdf Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
607+0.38 EUR
953+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMN31D5L-7 DMN31D5L-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0006645120_1-2542905.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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5+0.73 EUR
10+0.5 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.082 EUR
24000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN31D5L-7 DMN31D5L-7 Diodes Incorporated DMN31D5L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
auf Bestellung 5320042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
43+0.5 EUR
100+0.24 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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DMN31D5L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
363+0.69 EUR
607+0.38 EUR
953+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 363 Stücke
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DMN31D5L-7 DMN31D5L.pdf
DMN31D5L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN31D5L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.69 EUR
607+0.38 EUR
953+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN31D5L-7 DIOD_S_A0006645120_1-2542905.pdf
DMN31D5L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 4763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.73 EUR
10+0.5 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.082 EUR
24000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN31D5L-7 DMN31D5L.pdf
DMN31D5L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
auf Bestellung 5320042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+0.74 EUR
43+0.5 EUR
100+0.24 EUR
500+0.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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