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DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated


DMN31D5UFZ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
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Technische Details DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 4.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 393mW, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.35nC, Case: X2-DFN0606-3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 0.5A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.15A, Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke.

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DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Hersteller : Diodes Incorporated DIODS21549_1-2541852.pdf MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
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DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN31D5UFZ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
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DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Hersteller : Diodes Inc dmn31d5ufz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN31D5UFZ-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN31D5UFZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 393mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Case: X2-DFN0606-3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.15A
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN31D5UFZ-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN31D5UFZ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150mA; Idm: 0.5A; 393mW
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 393mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Case: X2-DFN0606-3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 30V
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