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DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated

DMN31D5UFZ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 393mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V
auf Bestellung 540000 Stücke:
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Technische Details DMN31D5UFZ-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 393mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0606-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Hersteller : Diodes Incorporated DIODS21549_1-2541852.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
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DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN31D5UFZ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 393mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 15 V
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DMN31D5UFZ-7B DMN31D5UFZ-7B Hersteller : Diodes Inc dmn31d5ufz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.22A 3-Pin X2-DFN T/R
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