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DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7 Diodes Zetex

326ds31124.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details DMN32D2LFB4-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31124.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
auf Bestellung 1044000 Stücke:
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 326ds31124.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
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Anzahl Preis
501+0.30 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 501
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 326ds31124.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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Mindestbestellmenge: 501
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31124.pdf MOSFETs 350mW 30Vdss
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10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31124.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 3 V
auf Bestellung 1048253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+1.11 EUR
26+0.69 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001068624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0001068624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN32D2LFB4-7 DMN32D2LFB4-7 Hersteller : Diodes Zetex 326ds31124.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.3A 3-Pin X2-DFN T/R
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DMN32D2LFB4-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31124.pdf DMN32D2LFB4-7 SMD N channel transistors
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