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DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated

DMN33D8LT.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
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Technische Details DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated DMN33D8LT.pdf MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
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DMN33D8LT-7 DMN33D8LT-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011756464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN33D8LT-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
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MOSFETs 33V Dual N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN33D8LT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
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