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DMN33D9LV-7A

DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated

DMN33D9LV.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 430mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 430mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN33D9LV-7A DMN33D9LV-7A Hersteller : Diodes Incorporated DMN33D9LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 430mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 48pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 62900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.74 EUR
34+0.53 EUR
100+0.27 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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DMN33D9LV-7A DMN33D9LV-7A Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189368_1-2543264.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT563 T&R 3K
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.84 EUR
10+0.64 EUR
100+0.40 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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DMN33D9LV-7A DMN33D9LV-7A Hersteller : DIODES INC. DMN33D9LV.pdf Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN33D9LV-7A DMN33D9LV-7A Hersteller : DIODES INC. DMN33D9LV.pdf Description: DIODES INC. - DMN33D9LV-7A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 430mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 430mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN33D9LV-7A Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN33D9LV.pdf DMN33D9LV-7A Multi channel transistors
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