DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
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Technische Details DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.46W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN4800LSS-13 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE |
auf Bestellung 4791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN4800LSS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 646968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN4800LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN4800LSS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| DMN4800LSS-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN4800LSS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
MOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 2500+ | 0.29 EUR |
| DMN4800LSS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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| 22+ | 0.96 EUR |
| 33+ | 0.65 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| DMN4800LSS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 218+ | 1.15 EUR |
| 254+ | 0.92 EUR |
| 443+ | 0.49 EUR |
| 524+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| DMN4800LSS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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| 218+ | 1.15 EUR |
| 254+ | 0.92 EUR |
| 443+ | 0.49 EUR |
| 524+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| DMN4800LSS-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| DMN4800LSS-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)