DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.29 EUR |
| 5000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.46W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN4800LSSL-13 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMN4800LSSL-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K |
auf Bestellung 4157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN4800LSSL-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V |
auf Bestellung 5005 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN4800LSSL-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN4800LSSL-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.46W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN4800LSSL-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN4800LSSL-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; Idm: 50A; 1.46W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.46W Drain current: 5.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN4800LSSL-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; Idm: 50A; 1.46W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.46W Drain current: 5.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 50A Kind of package: 13 inch reel; tape Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
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