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DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated

DMN53D0LDW.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.1 EUR
20000+0.094 EUR
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Technische Details DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 83685 Stücke:
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35+0.61 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 DIODES INC. DMN53D0LDW.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-13 DIODES INC. DMN53D0LDW.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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DMN53D0LDW-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 83685 Stücke:
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DMN53D0LDW-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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