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DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7 Diodes Zetex

dmn53d0ldw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMN53D0LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 310mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 310mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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325+0.22 EUR
770+ 0.093 EUR
855+ 0.084 EUR
1090+ 0.066 EUR
1150+ 0.062 EUR
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : DIODES INC. 2705011.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : DIODES INC. 2705011.pdf Description: DIODES INC. - DMN53D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 360 mA, 360 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 360mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Inc dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN53D0LDW-7 DMN53D0LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 6-Pin SOT-363 T/R
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