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DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated

DMN53D0LW.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
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Technische Details DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN53D0LW-3214553.pdf MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
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DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013503878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013503878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0lw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0lw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 1430 Stücke:
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DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Inc dmn53d0lw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMN53D0LW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN53D0LW.pdf DMN53D0LW-7 SMD N channel transistors
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