DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated


DMN53D0LW.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 2011 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
82+0.22 EUR
131+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN53D0LW-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote DMN53D0LW-7 nach Preis ab 0.093 EUR bis 0.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf MOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
auf Bestellung 51044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.47 EUR
10+0.29 EUR
100+0.19 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013503878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013503878-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN53D0LW.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn53d0lw.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7 Hersteller : Diodes Inc./Zetex DMN53D0LW.pdf MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7 DMN53D0LW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN53D0LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.7A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH