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DMN6068SE-13

DMN6068SE-13 Diodes Zetex

ds32033.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details DMN6068SE-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Zetex ds32033.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32033.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Zetex ds32033.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Zetex ds32033.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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4000+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated ds32033.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V
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17+1.06 EUR
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIODS20377_1-2541745.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 TUBE 4K
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3+1.22 EUR
10+0.74 EUR
100+0.51 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.33 EUR
4000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Inc 495ds32033.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS20377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : DIODES INC. DIODS20377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN6068SE-13 Hersteller : DIODES/ZETEX ds32033.pdf N-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
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100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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DMN6068SE-13 Hersteller : DIODES/ZETEX ds32033.pdf N-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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DMN6068SE-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds32033.pdf DMN6068SE-13 SMD N channel transistors
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302+0.24 EUR
319+0.22 EUR
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DMN6068SE-13 DMN6068SE-13 Hersteller : Diodes Zetex ds32033.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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