Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN6070SSDQ-13

DMN6070SSDQ-13 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0012956419_1-2543829.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 4550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.8 EUR
10+ 0.68 EUR
100+ 0.51 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.32 EUR
2500+ 0.27 EUR
10000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN6070SSDQ-13 Diodes Incorporated

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.1A; Idm: 12A; 1.5W; SO8, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 12A, Power dissipation: 1.5W, Gate charge: 12.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 2.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±20V, Case: SO8, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote DMN6070SSDQ-13

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMN6070SSDQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmn6070ssdq.pdf MOSFET BVDSS: 41V60V SO-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
DMN6070SSDQ-13 DMN6070SSDQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.1A; Idm: 12A; 1.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 12.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.1A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMN6070SSDQ-13 DMN6070SSDQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 2.1A; Idm: 12A; 1.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 12.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.1A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar