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Technische Details DMN6070SY-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.3A; Idm: 15A; 2.1W; SOT89, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 2.1W, Gate charge: 12.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 3.3A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: SOT89, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN6070SY-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMN6070SY-13 | Hersteller : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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| DMN6070SY-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.3A; Idm: 15A; 2.1W; SOT89 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 12.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMN6070SY-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3 |
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| DMN6070SY-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.3A; Idm: 15A; 2.1W; SOT89 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 2.1W Gate charge: 12.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.3A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89 On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD |
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