DMN6075SQ-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMN6075SQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm.
Weitere Produktangebote DMN6075SQ-13 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm |
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| DMN6075SQ-13 | Hersteller : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 700mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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DMN6075SQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 700mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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