Produkte > DIODES ZETEX > DMN6075SQ-13
DMN6075SQ-13

DMN6075SQ-13 Diodes Zetex

dmn6075sq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN6075SQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote DMN6075SQ-13 nach Preis ab 0.23 EUR bis 1.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189360_1-2543140.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K
auf Bestellung 2883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
1000+0.29 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009189360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 11909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
272+0.92 EUR
445+0.52 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated DMN6075SQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
32+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ-13 DIODES INC. DMN6075SQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.38 EUR
305+0.76 EUR
466+0.46 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DIOD_S_A0009189360_1-2543140.pdf
DMN6075SQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 10K
auf Bestellung 2883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.89 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
1000+0.29 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DIOD-S-A0009189360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN6075SQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
auf Bestellung 11909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
272+0.92 EUR
445+0.52 EUR
541+0.39 EUR
1000+0.31 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ.pdf
DMN6075SQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+1.11 EUR
32+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.26 EUR
5000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6075SQ-13 DMN6075SQ.pdf
DMN6075SQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
182+1.38 EUR
305+0.76 EUR
466+0.46 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH