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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7 Diodes Zetex

41592961582515dmn61d8lq.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
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Technische Details DMN61D8LQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 390mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Diodes Incorporated DMN61D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
15000+0.25 EUR
21000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Diodes Zetex 41592961582515dmn61d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+0.67 EUR
321+0.54 EUR
361+0.46 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Diodes Zetex 41592961582515dmn61d8lq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.84 EUR
238+0.7 EUR
261+0.62 EUR
321+0.49 EUR
361+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002832699_1-2541996.pdf MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
auf Bestellung 20490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.76 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002832699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
242+0.96 EUR
367+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002832699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+1.24 EUR
242+0.96 EUR
367+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
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12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
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DMN61D8LQ-7 DMN61D8LQ-7 Diodes Incorporated DMN61D8LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 130961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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DMN61D8LQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 129000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
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21000+0.24 EUR
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DMN61D8LQ-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
261+0.67 EUR
321+0.54 EUR
361+0.46 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
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DMN61D8LQ-7
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2620 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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238+0.7 EUR
261+0.62 EUR
321+0.49 EUR
361+0.42 EUR
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DMN61D8LQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
auf Bestellung 20490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.76 EUR
100+0.57 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.3 EUR
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DMN61D8LQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+1.24 EUR
242+0.96 EUR
367+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN61D8LQ-7 DIOD-S-A0002832699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN61D8LQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 14405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
203+1.24 EUR
242+0.96 EUR
367+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
12000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN61D8LQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 130961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.34 EUR
26+0.83 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH