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DMN61D8LVT-13

DMN61D8LVT-13 Diodes Zetex

dmn61d8l-lvt.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMN61D8LVT-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 820mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TSOT-26.

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DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN61D8L-LVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
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DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005424625_1-2542536.pdf MOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
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DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN61D8L-LVT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
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