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DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7 Diodes Zetex

dmn61d8lvtq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
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Technische Details DMN61D8LVTQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn61d8lvtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn61d8lvtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
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Mindestbestellmenge: 209
DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
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100+ 0.61 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 22
DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002765169_1-2541984.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002765169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002765169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : Diodes Inc 41399441762590dmn61d8lvtq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN61D8LVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.09W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN61D8LVTQ-7 DMN61D8LVTQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN61D8LVTQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.09W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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