DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN61D8LVTQ-7 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson |
auf Bestellung 6323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active |
auf Bestellung 6870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN61D8LVTQ-7 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
auf Bestellung 6323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.11 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| DMN61D8LVTQ-7 |
|
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 6870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.15 EUR |
| 30+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.45 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| DMN61D8LVTQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 187+ | 1.33 EUR |
| 326+ | 0.71 EUR |
| 402+ | 0.54 EUR |
| 513+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| DMN61D8LVTQ-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 187+ | 1.33 EUR |
| 326+ | 0.71 EUR |
| 402+ | 0.54 EUR |
| 513+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| DMN61D8LVTQ-7 |
|
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)