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DMN61D9UWQ-13

DMN61D9UWQ-13 Diodes Zetex

dmn61d9uwq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details DMN61D9UWQ-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14070000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10000+0.08 EUR
20000+0.07 EUR
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50000+0.07 EUR
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DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn61d9uwq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.32 EUR
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DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 440mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14076478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.35 EUR
73+0.24 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.10 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 340mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 8950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145053-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN61D9UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN61D9UWQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145053_1-2542512.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 11348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.36 EUR
12+0.24 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.10 EUR
2500+0.09 EUR
10000+0.08 EUR
50000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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DMN61D9UWQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN61D9UWQ_Rev2-3_Aug2022.pdf DMN61D9UWQ-13 SMD N channel transistors
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