DMN62D0U-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 288000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.089 EUR |
| 9000+ | 0.086 EUR |
| 30000+ | 0.084 EUR |
| 75000+ | 0.076 EUR |
| 150000+ | 0.065 EUR |
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Technische Details DMN62D0U-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Weitere Produktangebote DMN62D0U-7 nach Preis ab 0.072 EUR bis 0.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMN62D0U-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.38W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN62D0U-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.38W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN62D0U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V |
auf Bestellung 290615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN62D0U-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A |
auf Bestellung 201462 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMN62D0U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN62D0U-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 26935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN62D0U-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 26935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN62D0U-7 Produktcode: 191676 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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DMN62D0U-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN62D0U-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R |
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