DMN62D0U-7


DMN62D0U.pdf
Produktcode: 191676
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote DMN62D0U-7 nach Preis ab 0.053 EUR bis 0.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN62D0U.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.085 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.072 EUR
15000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN62D0U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.38W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 3124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
589+0.12 EUR
815+0.088 EUR
944+0.076 EUR
1090+0.066 EUR
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN62D0U.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
auf Bestellung 17706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+0.42 EUR
70+0.25 EUR
112+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833270_1-2541997.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
auf Bestellung 201462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.51 EUR
10+0.32 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.083 EUR
9000+0.067 EUR
24000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : Diodes Zetex 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 26935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833270-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN62D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 26935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 DMN62D0U-7 Hersteller : Diodes Zetex 17738611133496dmn62d0u.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN62D0U-7 Hersteller : Diodes DMN62D0U.pdf N-CH 60V 0.38A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH