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DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated


DMN62D0UDW.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
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Technische Details DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833313_1-2542042.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
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DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn62d0udw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN62D0UDW-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN62D0UDW.pdf DMN62D0UDW-13 SMD N channel transistors
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DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN62D0UDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
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