DMN63D8L-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN63D8L-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 310mA; Idm: 1.2A; 520mW; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: 13 inch reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 1.2A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.31A, Gate charge: 0.9nC, On-state resistance: 13Ω, Power dissipation: 0.52W, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote DMN63D8L-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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DMN63D8L-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23 |
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DMN63D8L-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 310mA; Idm: 1.2A; 520mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.31A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.52W Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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