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DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.086 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.076 EUR
30000+0.073 EUR
75000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
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14+0.25 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
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DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 108432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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69+0.31 EUR
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DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15313 Stücke:
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DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
439+0.57 EUR
752+0.31 EUR
1129+0.19 EUR
1500+0.14 EUR
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DMN63D8LDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN63D8LDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
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6000+0.054 EUR
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DMN63D8LDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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DMN63D8LDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.067 EUR
6000+0.058 EUR
9000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN63D8LDW-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2174+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 2174 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN63D8LDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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6000+0.092 EUR
9000+0.086 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.076 EUR
30000+0.073 EUR
75000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET
auf Bestellung 168205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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14+0.25 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 108432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN63D8LDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
439+0.57 EUR
752+0.31 EUR
1129+0.19 EUR
1500+0.14 EUR
1863+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 439 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDW-7 DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15313 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
439+0.57 EUR
752+0.31 EUR
1129+0.19 EUR
1500+0.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 439 Stücke
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