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Technische Details DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote DMN63D8LDW-7 nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.78 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.4W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated | MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET |
auf Bestellung 196492 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 |
auf Bestellung 5394975 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 50809 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 400mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R |
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