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DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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9000+0.055 EUR
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 801000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.098 EUR
30000+0.096 EUR
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150000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
auf Bestellung 47727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
579+0.4 EUR
1235+0.18 EUR
1419+0.15 EUR
1520+0.14 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6365 Stücke:
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500+0.71 EUR
579+0.4 EUR
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1419+0.15 EUR
1520+0.14 EUR
5000+0.094 EUR
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 803809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
41+0.51 EUR
100+0.25 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7 dmn63d8ldwq.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3004+0.058 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3004 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7 dmn63d8ldwq.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 933000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 801000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.098 EUR
30000+0.096 EUR
75000+0.086 EUR
150000+0.075 EUR
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DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
auf Bestellung 47727 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.17 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7 DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.71 EUR
579+0.4 EUR
1235+0.18 EUR
1419+0.15 EUR
1520+0.14 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+0.71 EUR
579+0.4 EUR
1235+0.18 EUR
1419+0.15 EUR
1520+0.14 EUR
5000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 803809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
41+0.51 EUR
100+0.25 EUR
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 105 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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