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DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

dmn63d8ldwq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
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75000+ 0.11 EUR
150000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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365+0.2 EUR
965+ 0.074 EUR
1090+ 0.066 EUR
1170+ 0.061 EUR
1215+ 0.059 EUR
1235+ 0.058 EUR
3000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 365
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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965+ 0.074 EUR
1090+ 0.066 EUR
1170+ 0.061 EUR
1215+ 0.059 EUR
1235+ 0.058 EUR
3000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 365
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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28+0.94 EUR
41+ 0.64 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
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Anzahl Preis ohne MwSt
56+0.94 EUR
81+ 0.65 EUR
199+ 0.26 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 56
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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