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DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

dmn63d8ldwq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
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Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
6000+0.10 EUR
9000+0.08 EUR
30000+0.08 EUR
75000+0.07 EUR
150000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 2.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5585 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
410+0.17 EUR
507+0.14 EUR
710+0.10 EUR
1134+0.06 EUR
1200+0.06 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 2.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
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3000+0.06 EUR
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
auf Bestellung 49152 Stücke:
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13+0.23 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.07 EUR
9000+0.07 EUR
24000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 803809 Stücke:
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41+0.43 EUR
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500+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DMN63D8LDWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DMN63D8LDWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Inc dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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