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DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details DMN63D8LV-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Zetex dmn63d8lv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
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6000+0.058 EUR
9000+0.057 EUR
24000+0.055 EUR
30000+0.054 EUR
45000+0.052 EUR
75000+0.05 EUR
99000+0.049 EUR
150000+0.048 EUR
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9000+0.055 EUR
24000+0.052 EUR
30000+0.05 EUR
45000+0.046 EUR
75000+0.044 EUR
99000+0.043 EUR
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Zetex dmn63d8lv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 2238000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.087 EUR
75000+0.079 EUR
150000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.39 EUR
294+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
auf Bestellung 2241572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
60+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated DMN63D8LV.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INC. DIODS15415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
582+0.4 EUR
918+0.24 EUR
1235+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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DMN63D8LV-7 DMN63D8LV-7 DIODES INC. DIODS15415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.71 EUR
582+0.4 EUR
918+0.24 EUR
1235+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMN63D8LV-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.075 EUR
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DMN63D8LV-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.076 EUR
6000+0.058 EUR
9000+0.057 EUR
24000+0.055 EUR
30000+0.054 EUR
45000+0.052 EUR
75000+0.05 EUR
99000+0.049 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN63D8LV-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.076 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.055 EUR
24000+0.052 EUR
30000+0.05 EUR
45000+0.046 EUR
75000+0.044 EUR
99000+0.043 EUR
150000+0.042 EUR
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DMN63D8LV-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN63D8LV-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 2238000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.087 EUR
75000+0.079 EUR
150000+0.074 EUR
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DMN63D8LV-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 294 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
218+0.39 EUR
294+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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DMN63D8LV-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW
auf Bestellung 2241572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+0.58 EUR
60+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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DMN63D8LV-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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DMN63D8LV-7 DIODS15415-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.71 EUR
582+0.4 EUR
918+0.24 EUR
1235+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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DMN63D8LV-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.71 EUR
582+0.4 EUR
918+0.24 EUR
1235+0.18 EUR
1500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH