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Technische Details DMN63D8LW-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.
Weitere Produktangebote DMN63D8LW-13 nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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DMN63D8LW-13 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 14983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
auf Bestellung 143628 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 14983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A |
auf Bestellung 56452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
auf Bestellung 9509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN63D8LW-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm |
auf Bestellung 9509 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.04 EUR |
| 80000+ | 0.037 EUR |
| 160000+ | 0.033 EUR |
| 240000+ | 0.031 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 330000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.045 EUR |
| 20000+ | 0.039 EUR |
| 100000+ | 0.035 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 130000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.051 EUR |
| 20000+ | 0.045 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 14983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1681+ | 0.1 EUR |
| 1698+ | 0.1 EUR |
| 2942+ | 0.057 EUR |
| 3004+ | 0.055 EUR |
| 6000+ | 0.035 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 143628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 77+ | 0.27 EUR |
| 110+ | 0.19 EUR |
| 215+ | 0.098 EUR |
| 500+ | 0.095 EUR |
| 1000+ | 0.086 EUR |
| 2000+ | 0.077 EUR |
| 5000+ | 0.068 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 14983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 453+ | 0.38 EUR |
| 688+ | 0.24 EUR |
| 733+ | 0.23 EUR |
| 1624+ | 0.095 EUR |
| 1681+ | 0.089 EUR |
| 1698+ | 0.084 EUR |
| 2942+ | 0.046 EUR |
| 3004+ | 0.045 EUR |
| 6000+ | 0.029 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A
auf Bestellung 56452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.45 EUR |
| 14+ | 0.25 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.075 EUR |
| 2500+ | 0.063 EUR |
| 10000+ | 0.048 EUR |
| 20000+ | 0.046 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 9509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 402+ | 0.62 EUR |
| 690+ | 0.33 EUR |
| 1129+ | 0.19 EUR |
| 1789+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.088 EUR |
| DMN63D8LW-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 9509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 402+ | 0.62 EUR |
| 690+ | 0.33 EUR |
| 1129+ | 0.19 EUR |
| 1789+ | 0.12 EUR |
| 5000+ | 0.088 EUR |