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Technische Details DMN65D8L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote DMN65D8L-7 nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1170000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1170000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA |
auf Bestellung 62374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 228328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 230235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN65D8L-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMN65D8L-7 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN65D8L-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R |
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