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DMN65D8L-7

DMN65D8L-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details DMN65D8L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 Diodes Zetex dmn65d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
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15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
75000+0.026 EUR
150000+0.025 EUR
300000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
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9000+0.029 EUR
15000+0.026 EUR
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Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
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15000+0.027 EUR
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Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 Diodes Zetex dmn65d8l.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 Diodes Incorporated DMN65D8L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.049 EUR
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 6382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
715+0.12 EUR
1055+0.081 EUR
1250+0.068 EUR
1799+0.048 EUR
2101+0.04 EUR
2294+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 Diodes Incorporated DMN65D8L.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
auf Bestellung 62374 Stücke:
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17+0.2 EUR
23+0.14 EUR
100+0.069 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 DIODES INC. 4553113.pdf Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 230235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
910+0.27 EUR
1208+0.19 EUR
2632+0.081 EUR
2689+0.08 EUR
2740+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 Diodes Incorporated DMN65D8L.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 9894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
114+0.18 EUR
186+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 DIODES INC. 4553113.pdf Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 5657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
725+0.35 EUR
1250+0.19 EUR
2041+0.1 EUR
2942+0.073 EUR
3323+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
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DMN65D8L-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1170000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
75000+0.026 EUR
150000+0.025 EUR
300000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 4256 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4330+0.04 EUR
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9000+0.029 EUR
15000+0.026 EUR
21000+0.025 EUR
30000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4330+0.04 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
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DMN65D8L-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4330+0.04 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.027 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 4330 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN65D8L-7
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1170000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4220+0.042 EUR
6000+0.033 EUR
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15000+0.027 EUR
21000+0.025 EUR
30000+0.024 EUR
75000+0.023 EUR
150000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 4220 Stücke
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DMN65D8L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.058 EUR
6000+0.052 EUR
9000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
On-state resistance: 4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 6382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.17 EUR
715+0.12 EUR
1055+0.081 EUR
1250+0.068 EUR
1799+0.048 EUR
2101+0.04 EUR
2294+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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DMN65D8L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
auf Bestellung 62374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+0.2 EUR
23+0.14 EUR
100+0.069 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 230235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
910+0.27 EUR
1208+0.19 EUR
2632+0.081 EUR
2689+0.08 EUR
2740+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN65D8L-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
auf Bestellung 9894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
114+0.18 EUR
186+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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DMN65D8L-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 370mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 5657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
725+0.35 EUR
1250+0.19 EUR
2041+0.1 EUR
2942+0.073 EUR
3323+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 725 Stücke
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