Produkte > DIODES ZETEX > DMN65D8LDW-7
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7 Diodes Zetex

dmn65d8ldw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1038000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3145+0.049 EUR
264000+ 0.043 EUR
528000+ 0.039 EUR
792000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3145
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN65D8LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote DMN65D8LDW-7 nach Preis ab 0.039 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1485000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.077 EUR
9000+ 0.059 EUR
24000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.077 EUR
9000+ 0.059 EUR
24000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1902+0.081 EUR
2500+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1902
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1038000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.082 EUR
9000+ 0.063 EUR
24000+ 0.044 EUR
45000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1518000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.1 EUR
6000+ 0.099 EUR
9000+ 0.086 EUR
30000+ 0.084 EUR
75000+ 0.069 EUR
150000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 8554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1067+0.14 EUR
1158+ 0.13 EUR
1170+ 0.12 EUR
1471+ 0.094 EUR
3000+ 0.068 EUR
6000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1067
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 8554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
323+0.48 EUR
473+ 0.32 EUR
478+ 0.3 EUR
1067+ 0.13 EUR
1158+ 0.11 EUR
1471+ 0.083 EUR
3000+ 0.063 EUR
6000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 323
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf MOSFET Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
auf Bestellung 45422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.56 EUR
10+ 0.38 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.097 EUR
9000+ 0.086 EUR
24000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1519033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+0.58 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 31
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 11950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : Diodes Inc dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 870pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar