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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7 Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details DMN65D8LDW-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Diodes Zetex dmn65d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf MOSFETs Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
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100+0.25 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
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DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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387+0.64 EUR
667+0.35 EUR
962+0.23 EUR
1214+0.18 EUR
1289+0.17 EUR
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DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013780597-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3605 Stücke:
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500+0.64 EUR
667+0.35 EUR
962+0.23 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
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DMN65D8LDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
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FET Feature: Logic Level Gate
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Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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DMN65D8LDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.25 EUR
500+0.15 EUR
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3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
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DMN65D8LDW-7
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 4142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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61+0.35 EUR
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500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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DMN65D8LDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3605 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
387+0.64 EUR
667+0.35 EUR
962+0.23 EUR
1214+0.18 EUR
1289+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
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DMN65D8LDW-7
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN65D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.64 EUR
667+0.35 EUR
962+0.23 EUR
1214+0.18 EUR
1289+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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