Produkte > DIODES ZETEX > DMN65D8LDWQ-7
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7 Diodes Zetex

dmn65d8ldwq.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.058 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN65D8LDWQ-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 8 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 400mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote DMN65D8LDWQ-7 nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LDW.pdf MOSFETs 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
auf Bestellung 12705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.59 EUR
10+0.36 EUR
100+0.22 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.093 EUR
6000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+0.76 EUR
34+0.53 EUR
100+0.27 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013083705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013083705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 180 mA, 180 mA, 8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Inc 112dmn65d8ldwq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN65D8LDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN65D8LDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH