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DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated

DMN65D8LFB.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
auf Bestellung 440000 Stücke:
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Anzahl Preis
10000+0.05 EUR
20000+0.048 EUR
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Technische Details DMN65D8LFB-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-10 X1-DFN1006-3 T&R 10K
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15+0.2 EUR
20+0.14 EUR
100+0.084 EUR
500+0.072 EUR
1000+0.065 EUR
5000+0.062 EUR
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN65D8LFB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
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56+0.32 EUR
87+0.2 EUR
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1000+0.087 EUR
2000+0.085 EUR
5000+0.079 EUR
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013290039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013290039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN65D8LFB-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 1.9 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : Diodes Zetex dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R
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DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB-7B Hersteller : Diodes Inc dmn65d8lfb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin DFN EP T/R
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