Weitere Produktangebote DMN66D0LDW-7 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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DMN66D0LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN66D0LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 250mW 60Vdss |
auf Bestellung 5669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN66D0LDW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN66D0LDW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN66D0LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 5 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN66D0LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN66D0LDW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN66D0LDW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |