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DMN67D8L-13 Diodes Incorporated

Name: DMN67D8L-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 5768505-3
Price: 470.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V

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Technische Details DMN67D8L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
DMN67D8L-13	Diodes Incorporated	MOSFETs MOSFET BVDSS	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMN67D8L-13	DIODES INCORPORATED	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 570mW Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 821pC	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DMN67D8L-13	Diodes Zetex	Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN67D8L-13

Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS

Produkt ist nicht verfügbar

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN67D8L-13

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; Idm: 0.8A; 570mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 570mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 821pC

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DMN67D8L-13

Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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