DMN67D8L-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.056 EUR |
| 6000+ | 0.051 EUR |
| 9000+ | 0.048 EUR |
| 15000+ | 0.045 EUR |
| 21000+ | 0.043 EUR |
| 30000+ | 0.04 EUR |
| 75000+ | 0.037 EUR |
| 150000+ | 0.035 EUR |
| 300000+ | 0.033 EUR |
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Technische Details DMN67D8L-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMN67D8L-7 nach Preis ab 0.067 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 340mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1333313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN67D8L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN67D8L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 4520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
auf Bestellung 48890 Stücke: Lieferzeit 262-266 Tag (e) |
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| DMN67D8L-7 | DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMN67D8L-7 TDMN67D8L-7 Diodes |
auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMN67D8L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23-3
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.21 EUR |
| 141+ | 0.14 EUR |
| 212+ | 0.099 EUR |
| 500+ | 0.075 EUR |
| 1000+ | 0.067 EUR |
| DMN67D8L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 654+ | 0.38 EUR |
| 1191+ | 0.19 EUR |
| 2494+ | 0.086 EUR |
| 2584+ | 0.083 EUR |
| 2689+ | 0.08 EUR |
| DMN67D8L-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN67D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 654+ | 0.38 EUR |
| 1191+ | 0.19 EUR |
| 2494+ | 0.086 EUR |
| 2584+ | 0.083 EUR |
| 2689+ | 0.08 EUR |
| DMN67D8L-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
MOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 48890 Stücke:
Lieferzeit 262-266 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.39 EUR |
| 17+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| 3000+ | 0.077 EUR |
| DMN67D8L-7 |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMN67D8L-7 TDMN67D8L-7 Diodes
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMN67D8L-7 TDMN67D8L-7 Diodes
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)