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DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7 Diodes Zetex

1070dmn67d8ldw.pdf Hersteller: Diodes Zetex
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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Technische Details DMN67D8LDW-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 320mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex 1070dmn67d8ldw.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Hersteller : Diodes Zetex 1070dmn67d8ldw.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN67D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
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DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN67D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
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DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Hersteller : Diodes Inc 1070dmn67d8ldw.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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DMN67D8LDW-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN67D8LDW.pdf DMN67D8LDW-7 Multi channel transistors
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DMN67D8LDW-7 DMN67D8LDW-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002833188_1-2542095.pdf MOSFET MOSFET BVDSS
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