DMN68M7SCT DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
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Technische Details DMN68M7SCT DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 68V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMN68M7SCT | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 68V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |