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DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated

DMN90H8D5HCT.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
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Technische Details DMN90H8D5HCT Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCT Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0011483201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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DMN90H8D5HCT Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN90H8D5HCT.pdf DMN90H8D5HCT THT N channel transistors
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DMN90H8D5HCT Hersteller : Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT-1374873.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
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