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DMP1012UFDF-13 DIODES INC.

Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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Technische Details DMP1012UFDF-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.11W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	DMP1012UFDF-13	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMP1012UFDF-13

Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP1012UFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 20 A, 0.011 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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