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DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated


DMP1055UFDB.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.29 EUR
6000+0.27 EUR
9000+0.26 EUR
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Technische Details DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMP1055UFDB-7 DMP1055UFDB-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP1055UFDB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 1260 Stücke:
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10+0.70 EUR
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1000+0.34 EUR
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DMP1055UFDB-7 DMP1055UFDB-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP1055UFDB.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.36W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1028pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.00 EUR
27+0.67 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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DMP1055UFDB-7 DMP1055UFDB-7 Hersteller : DIODES INC. DMP1055UFDB.pdf Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP1055UFDB-7 DMP1055UFDB-7 Hersteller : DIODES INC. DMP1055UFDB.pdf Description: DIODES INC. - DMP1055UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.36W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.36W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP1055UFDB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP1055UFDB.pdf DMP1055UFDB-7 SMD P channel transistors
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