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DMP1055UFDB-7

DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated


DMP1055UFDB.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Technische Details DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.89W, Case: U-DFN2020-6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain current: -4A, On-state resistance: 0.215Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.89W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 20.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: -25A, Drain-source voltage: -12V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMP1055UFDB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP1055UFDB.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.89W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -12V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMP1055UFDB-7 DMP1055UFDB-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP1055UFDB.pdf Description: MOSFET 2PCH 12V 3.9A UDFN2020
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DMP1055UFDB-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP1055UFDB.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4A; Idm: -25A; 1.89W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: -4A
On-state resistance: 0.215Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -25A
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