DMP10H400SEQ-13 Транзистор
Produktcode: 220542
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 185000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 185000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A |
auf Bestellung 10850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 7517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H400SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP10H400SEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6 A, 0.203 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.203ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP10H400SEQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.1A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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