DMP2003UPS-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1 EUR |
| 5000+ | 0.94 EUR |
| 7500+ | 0.9 EUR |
| 12500+ | 0.86 EUR |
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Technische Details DMP2003UPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 1.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Weitere Produktangebote DMP2003UPS-13 nach Preis ab 1 EUR bis 4.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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DMP2003UPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 4895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP2003UPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 4467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2003UPS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V |
auf Bestellung 13447 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP2003UPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 4895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP2003UPS-13 | Diodes INC. |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 150 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8352 @ 10, Qg, нКл = 177, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 1,4 В, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 3 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP2003UPS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.39 EUR |
| 141+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| DMP2003UPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 4467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 2500+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 1 EUR |
| DMP2003UPS-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
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Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
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Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
auf Bestellung 13447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.61 EUR |
| 10+ | 2.28 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| DMP2003UPS-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 4.07 EUR |
| 98+ | 2.39 EUR |
| 141+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| DMP2003UPS-13 |
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Hersteller: Diodes INC.
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 150 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8352 @ 10, Qg, нКл = 177, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 1,4 В, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:



