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DMP2003UPS-13

DMP2003UPS-13 Diodes Incorporated


DMP2003UPS.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
auf Bestellung 67500 Stücke:

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Technische Details DMP2003UPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP2003UPS-13 DMP2003UPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145081_1-2542370.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
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DMP2003UPS-13 DMP2003UPS-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2003UPS.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
auf Bestellung 72030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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7+2.82 EUR
10+1.89 EUR
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DMP2003UPS-13 DMP2003UPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145081-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP2003UPS-13 DMP2003UPS-13 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004145081-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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DMP2003UPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2003UPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -120A; Idm: -350A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -350A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMP2003UPS-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2003UPS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -120A; Idm: -350A; 2.7W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -120A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 177nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -350A
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