Produkte > DIODES INCORPORATED > DMP2005UFG-13
DMP2005UFG-13

DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated

DIOD_S_A0003108760_1-2542105.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.58 EUR
10+1.18 EUR
100+0.8 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote DMP2005UFG-13 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DMP2005UFG-13 DMP2005UFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2005UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.06 EUR
14+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2005UFG-13 DMP2005UFG-13 Hersteller : Diodes Inc 186dmp2005ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2005UFG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2005UFG.pdf DMP2005UFG-13 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2005UFG-13 DMP2005UFG-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2005UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH