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DMP2005UFG-7

DMP2005UFG-7 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0003108760_1-2542105.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Technische Details DMP2005UFG-7 Diodes Incorporated

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W, Case: PowerDI3333-8, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -15A, On-state resistance: 14mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 2.2W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 125nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: -100A, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMP2005UFG-7 DMP2005UFG-7 Hersteller : Diodes Inc 186dmp2005ufg.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 19A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMP2005UFG-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2005UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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DMP2005UFG-7 DMP2005UFG-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMP2005UFG.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
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DMP2005UFG-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP2005UFG.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; Idm: -100A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: -100A
Mounting: SMD
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