| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.68 EUR |
| 10+ | 1.66 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 2000+ | 0.69 EUR |
| 4000+ | 0.65 EUR |
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Technische Details DMP2005UFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 48W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.
Weitere Produktangebote DMP2005UFG-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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DMP2005UFG-7 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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DMP2005UFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 48W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
auf Bestellung 1943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP2005UFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
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| DMP2005UFG-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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Description: DIODES INC. - DMP2005UFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 89 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)