DMP2006UFG-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMP2006UFG-13 Diodes Zetex
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -14A, Pulsed drain current: -80A, Power dissipation: 2.3W, Case: PowerDI®3333-8, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 17mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 200nC, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote DMP2006UFG-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| DMP2006UFG-13 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори |
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DMP2006UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI |
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DMP2006UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC |
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| DMP2006UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -14A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 2.3W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 200nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| DMP2006UFG-13 |
Hersteller: Diodes
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори
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| DMP2006UFG-13 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
Description: MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
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| DMP2006UFG-13 |
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
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| DMP2006UFG-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
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