Technische Details DMP2006UFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: -80A, Drain current: -14A, Drain-source voltage: -20V, Gate-source voltage: ±10V, Gate charge: 200nC, On-state resistance: 17mΩ, Kind of package: 13 inch reel; tape, Power dissipation: 2.3W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Case: PowerDI®3333-8, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote DMP2006UFG-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| DMP2006UFG-13 | Diodes | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
DMP2006UFG-13 | Diodes Incorporated |
 MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DMP2006UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -80A Drain current: -14A Drain-source voltage: -20V Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 200nC On-state resistance: 17mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.3W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD |
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| DMP2006UFG-13 |
Hersteller: Diodes
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори
MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI Транзистори
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| DMP2006UFG-13 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC
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| DMP2006UFG-13 |
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -14A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 17mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -14A; Idm: -80A; 2.3W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -14A
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 17mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
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